13
當前位置：上海添時科學儀器有限公司>>技術文章>>PCVD工藝的具體流程
PCVD工藝的具體流程
PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術。其特點包括：
1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應，降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應速率，從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質量薄膜的應用。
4、適應性強：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。
5、控制性好：通過調整等離子體的參數（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質。
PCVD工藝的流程：
(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。
(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預制棒)。
(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。
(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。
(5)光纖測試。拉出的光纖要經過各種試，以確定光纖的幾何、光學和機械性能。